Gaziantep Üniversitesi

GAZİANTEP ÜNİVERSİTESİ

English
ELEKTRİK VE ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ 
ANA SAYFA
Duyuru / Doküman
Atölye / Laboratuvar
Temel Elektrik Mühendisliği LaboratuvarıElektronik LaboratuvarıElektromekanik Enerji Dönüşüm LaboratuvarıKontrol Sistemleri LaboratuvarıProgramlanabilir Mantık Kontrol LaboratuvarıTelekomünikasyon LaboratuvarıMikrodalga ve Anten LaboratuvarıGüç Elektroniği LaboratuarıYüksek Voltaj Araştırma LaboratuvarıMikroişlemci LaboratuvarıBilgisayar LaboratuvarıAlet Bakım ve Tamir MerkeziSayısal Tasarım Laboratuvarı
Ders Künyesi
Ders Adı
Advanced Semiconductor Devices II
Ders Kodu
EEE512
Ders Açıklama
Metal semiconductor contac. Current transfer theory in Schottky barriers. Schottky-barrier diode; high current, transient and high frequency behaviour. Other devices employing Schottky-barrier. M-I-S diode. Surface states, surface charges and space charges, M-I-S characteristics. Surface-space-charge region under nonequilibrium conditions. IGFET. Surface effeccts on P-N junction and Schottky-barrrier devices. Thin film devices, TFT, hot-electron transistor. Optoelectronic devices, Photodetector, solarcell, electroluminescent devices,LED's and semiconductor lasers.
Ders Kredi
3
ECTS
6
Tasarım ~GAÜN Bilgi İşlem WebGrubu