Gaziantep Üniversitesi

GAZİANTEP ÜNİVERSİTESİ

English
FİZİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ 
ANA SAYFA
Duyuru / Doküman
Atölye / Laboratuvar
Nükleer Fizik Laboratuvarıİnce Film LaboratuvarıDozimetre LaboratuvarıMekanik LaboratuvarıElektrik ve Manyetizma LaboratuvarıIsı LaboratuvarıElektronik LaboratuvarıModern Fizik LaboratuvarıDalgalar ve Titreşimler LaboratuvarıOptik LaboratuarıTHERMO-LUMINESCENCE AND OPTICALLY STIMULATED LUMINKatıhal Fiziği Laboratuvarı
Ders Künyesi
Ders Adı
Strained-Layer quantum wells & their application
Ders Kodu
EP536
Ders Açıklama
Theoretical studies of strained-layer quantum-well lasers. Characteristics of strained InGaAs/InGaAsP quantum well lasers lattice matched to GaAs. Optical gain in strained quantum wells. Characterisation of strained-layer quantum wells. Crystal growth and optical properties of (111) -oriented strained-layer quantum wells.Preparation and characterization of strained-layer superlattice structures for their application to laser diodes.Emission dynamic of microcavity.Visible emitting (AlGa)InP laser diodes. InAsP strained quantum wells and its application to 1.3 mm lasers.
Ders Kredi
3
ECTS
6

GAZİANTEP ÜNİVERSİTESİ

EUA Üyelik Logosu
GAÜN Diploma Eki
Adres Üniversite Bulvarı 27310 Şehitkamil - Gaziantep, TÜRKİYE
Tel +90 (342) 360 1200   &  +90 (342) 317 1000
Faks +90 (342) 360 1013
E-posta bilgi@gantep.edu.tr
ALO GÜVENLİK | 317 1717
Tasarım ~ GAÜN Bilgi İşlem WebGrubu